MJD31C1G

Name: ON Semiconductor MJD31C1G
Brand: ON Semiconductor
Rating: 4.9 (14 reviews)

ON Semiconductor
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
ON Semi MJD31C1G NPN Bipolar Transistor; 3 A; 100 V; 3-Pin IPAK
Date Sheet

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Срок поставки от производителя：8 Weeks
Покрытие контактов：Tin
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Поверхностный монтаж：NO
Количество контактов：4
Материал элемента транзистора：SILICON
Диэлектрический пробой напряжение：10V
Количество элементов：1
Минимальная частота работы в герцах：25
Рабочая температура：-65°C~150°C TJ
Пакетирование：Tube
Опубликовано：2005
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Ток постоянного напряжения - номинальный：100V
Максимальная потеря мощности：1.56W
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Моментальный ток：3A
Частота：3MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：40
Основной номер части：MJD31
Число контактов：4
Код JESD-30：R-PSIP-T3
Конфигурация элемента：Single
Распад мощности：1.56W
Сокетная связка：COLLECTOR
Применение транзистора：AMPLIFIER
Продуктивность полосы частот：3MHz
Полярность/Тип канала：NPN
Тип транзистора：NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：100V
Максимальный ток сбора：3A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：10 @ 3A 4V
Ток - отсечка коллектора (макс)：50μA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：1.2V @ 375mA, 3A
Частота перехода：3MHz
Максимальное напряжение разрушения：100V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：100V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：5V
Высота：6.22mm
Длина：6.73mm
Ширина：2.38mm
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 0

Итого $0.00000