MJD2955G

Name: ON Semiconductor MJD2955G
Brand: ON Semiconductor
Rating: 4.7 (11 reviews)

ON Semiconductor
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ON SEMICONDUCTOR - MJD2955G - RF TRANSISTOR, PNP, -60V 2MHZ D-PAK
Date Sheet

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
Срок поставки от производителя：8 Weeks
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Поверхностный монтаж：YES
Количество контактов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Диэлектрический пробой напряжение：60V
Количество элементов：1
Минимальная частота работы в герцах：20
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tube
Опубликовано：2002
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：2
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
Ток постоянного напряжения - номинальный：-60V
Максимальная потеря мощности：1.75W
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Моментальный ток：-10A
Частота：2MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：40
Основной номер части：MJD2955
Число контактов：3
Код JESD-30：R-PSSO-G2
Конфигурация элемента：Single
Распад мощности：1.75W
Сокетная связка：COLLECTOR
Применение транзистора：AMPLIFIER
Продуктивность полосы частот：2MHz
Полярность/Тип канала：PNP
Тип транзистора：PNP
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：60V
Максимальный ток сбора：10A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：20 @ 4A 4V
Ток - отсечка коллектора (макс)：50μA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：8V @ 3.3A, 10A
Частота перехода：2MHz
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：70V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：5V
Высота：2.3876mm
Длина：6.7056mm
Ширина：6.223mm
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 0

Итого $0.00000