Изображение служит лишь для справки
FJP3305H1TU
- ON Semiconductor
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
- TO-220-3
- TRANS NPN 400V 4A TO220
- Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла:ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
- Срок поставки от производителя:7 Weeks
- Монтаж:Through Hole
- Вид крепления:Through Hole
- Корпус / Кейс:TO-220-3
- Количество контактов:3
- Вес:1.8g
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Диэлектрический пробой напряжение:400V
- Количество элементов:1
- Минимальная частота работы в герцах:8
- Рабочая температура:150°C TJ
- Пакетирование:Tube
- Опубликовано:2008
- Безоловая кодировка:yes
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:3
- Код ECCN:EAR99
- Ток постоянного напряжения - номинальный:700V
- Максимальная потеря мощности:75W
- Моментальный ток:4A
- Частота:4MHz
- Основной номер части:FJP3305
- Конфигурация элемента:Single
- Распад мощности:75W
- Применение транзистора:SWITCHING
- Продуктивность полосы частот:4MHz
- Полярность/Тип канала:NPN
- Тип транзистора:NPN
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO):400V
- Максимальный ток сбора:4A
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:8 @ 2A 5V
- Ток - отсечка коллектора (макс):1μA ICBO
- Код JEDEC-95:TO-220AB
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:1V @ 1A, 4A
- Частота перехода:4MHz
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО):700V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO):9V
- Высота:16.51mm
- Длина:10.67mm
- Ширина:4.83mm
- Корпусировка на излучение:No
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
- Без свинца:Lead Free
Со склада 0
Итого $0.00000