MJE5731G

Name: ON Semiconductor MJE5731G
Brand: ON Semiconductor
Rating: 5 (9 reviews)

ON Semiconductor
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
TO-220-3
Trans GP BJT PNP 350V 1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
Date Sheet

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
Срок поставки от производителя：8 Weeks
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-220-3
Поверхностный монтаж：NO
Количество контактов：3
Вес：4.535924g
Материал элемента транзистора：SILICON
Диэлектрический пробой напряжение：350V
Количество элементов：1
Минимальная частота работы в герцах：30
Рабочая температура：-65°C~150°C TJ
Пакетирование：Tube
Опубликовано：2006
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
Дополнительная Характеристика：LEADFORM OPTIONS ARE AVAILABLE
Ток постоянного напряжения - номинальный：-350V
Максимальная потеря мощности：40W
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Моментальный ток：-1A
Частота：10MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：40
Число контактов：3
Конфигурация элемента：Single
Распад мощности：40W
Сокетная связка：COLLECTOR
Применение транзистора：SWITCHING
Продуктивность полосы частот：10MHz
Полярность/Тип канала：PNP
Тип транзистора：PNP
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：350V
Максимальный ток сбора：1A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：30 @ 300mA 10V
Ток - отсечка коллектора (макс)：1mA
Код JEDEC-95：TO-220AB
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：1V @ 200mA, 1A
Частота перехода：10MHz
Максимальное напряжение разрушения：60V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：350V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：5V
Высота：15.75mm
Длина：10.28mm
Ширина：4.82mm
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 0

Итого $0.00000