Изображение служит лишь для справки
MPSA28
- ON Semiconductor
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
- TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- TRANS NPN DARL 80V 0.8A TO-92
- Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла:OBSOLETE (Last Updated: 1 week ago)
- Монтаж:Through Hole
- Вид крепления:Through Hole
- Корпус / Кейс:TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- Количество контактов:3
- Вес:201mg
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Диэлектрический пробой напряжение:80V
- Количество элементов:1
- Минимальная частота работы в герцах:10000
- Рабочая температура:-55°C~150°C TJ
- Пакетирование:Bulk
- Опубликовано:2006
- Код JESD-609:e0
- Безоловая кодировка:no
- Состояние изделия:Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:3
- Конечная обработка контакта:Tin/Lead (Sn/Pb)
- Ток постоянного напряжения - номинальный:80V
- Максимальная потеря мощности:625mW
- Положение терминала:BOTTOM
- Температура пайки (пиковая) (°C):240
- Код соответствия REACH:not_compliant
- Моментальный ток:800mA
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):30
- Основной номер части:MPSA28
- Число контактов:3
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Направленность:NPN
- Конфигурация элемента:Single
- Распад мощности:625mW
- Тип транзистора:NPN - Darlington
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO):80V
- Максимальный ток сбора:500mA
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:10000 @ 100mA 5V
- Ток - отсечка коллектора (макс):500nA
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:1.5V @ 100μA, 100mA
- Частота перехода:200MHz
- Максимальное напряжение разрушения:80V
- Частота - Переход:200MHz
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО):80V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO):12V
- Прямоходящий ток коллектора:500mA
- Состояние RoHS:Non-RoHS Compliant
- Без свинца:Lead Free
Со склада 0
Итого $0.00000