2N6426

Name: ON Semiconductor 2N6426
Brand: ON Semiconductor
Rating: 4.9 (15 reviews)

ON Semiconductor
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
TRANS NPN DARL 40V 1.2A TO-92
Date Sheet

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：OBSOLETE (Last Updated: 2 days ago)
Монтаж：Through Hole
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Количество контактов：3
Поставщик упаковки устройства：TO-92-3
Вес：201mg
Диэлектрический пробой напряжение：40V
Максимальный коллекторный ток (Ic)：500mA
Количество элементов：1
Минимальная частота работы в герцах：30000
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Bulk
Опубликовано：1997
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Максимальная рабочая температура：150°C
Минимальная температура работы：-55°C
Ток постоянного напряжения - номинальный：40V
Максимальная потеря мощности：625mW
Моментальный ток：1.2A
Основной номер части：2N6426
Направленность：NPN
Конфигурация элемента：Single
Распад мощности：625mW
Мощность - Макс：625mW
Тип транзистора：NPN - Darlington
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：40V
Максимальный ток сбора：500mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：30000 @ 100mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)：1μA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：1.5V @ 500μA, 500mA
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：40V
Максимальное напряжение разрушения：40V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：40V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：12V
Прямоходящий ток коллектора：500mA
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：Non-RoHS Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 0

Итого $0.00000