MPSA77

Name: ON Semiconductor MPSA77
Brand: ON Semiconductor
Rating: 4.5 (16 reviews)

ON Semiconductor
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
TRANS PNP DARL 60V 1.2A TO-92
Date Sheet

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：OBSOLETE (Last Updated: 1 day ago)
Монтаж：Through Hole
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Количество контактов：3
Вес：201mg
Материал элемента транзистора：SILICON
Диэлектрический пробой напряжение：60V
Количество элементов：1
Минимальная частота работы в герцах：10000
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Bulk
Опубликовано：2009
Код JESD-609：e0
Безоловая кодировка：no
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Tin/Lead (Sn/Pb)
Ток постоянного напряжения - номинальный：-60V
Максимальная потеря мощности：625mW
Положение терминала：BOTTOM
Температура пайки (пиковая) (°C)：240
Код соответствия REACH：not_compliant
Моментальный ток：-1.2A
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
Основной номер части：MPSA77
Число контактов：3
Квалификационный Статус：Not Qualified
Направленность：PNP
Конфигурация элемента：Single
Распад мощности：625mW
Применение транзистора：AMPLIFIER
Тип транзистора：PNP - Darlington
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：60V
Максимальный ток сбора：500mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：10000 @ 100mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)：500nA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：1.5V @ 100μA, 100mA
Частота перехода：100MHz
Максимальное напряжение разрушения：60V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：-60V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：-10V
Прямоходящий ток коллектора：-500mA
Состояние RoHS：Non-RoHS Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 0

Итого $0.00000