MMBT2222ALT1

Name: ON Semiconductor MMBT2222ALT1
Brand: ON Semiconductor
Rating: 4.6 (13 reviews)

ON Semiconductor
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TRANS NPN 40V 0.6A SOT23
Date Sheet

Lagernummer 441

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：LIFETIME (Last Updated: 2 days ago)
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов：3
Поставщик упаковки устройства：SOT-23-3 (TO-236)
Диэлектрический пробой напряжение：40V
Максимальный коллекторный ток (Ic)：600mA
Количество элементов：1
Минимальная частота работы в герцах：35
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Cut Tape (CT)
Опубликовано：2006
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Максимальная рабочая температура：150°C
Минимальная температура работы：-55°C
Ток постоянного напряжения - номинальный：40V
Максимальная потеря мощности：225mW
Моментальный ток：600mA
Частота：300MHz
Основной номер части：MMBT2222A
Направленность：NPN
Конфигурация элемента：Single
Распад мощности：300mW
Мощность - Макс：225mW
Продуктивность полосы частот：300MHz
Тип транзистора：NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：40V
Максимальный ток сбора：600mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：100 @ 150mA 10V
Ток - отсечка коллектора (макс)：10nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：1V @ 50mA, 500mA
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：40V
Частота - Переход：300MHz
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：75V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：6V
Состояние RoHS：Non-RoHS Compliant
Без свинца：Contains Lead

Со склада 441

Итого $0.00000