MPS651RLRA

Name: ON Semiconductor MPS651RLRA
Brand: ON Semiconductor
Rating: 4.6 (10 reviews)

ON Semiconductor
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
TRANS NPN 60V 2A TO92
Date Sheet

Lagernummer 599

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Монтаж：Through Hole
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Материал элемента транзистора：SILICON
Диэлектрический пробой напряжение：60V
Количество элементов：1
Минимальная частота работы в герцах：75
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Опубликовано：2005
Код JESD-609：e0
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Tin/Lead (Sn/Pb)
Код ТН ВЭД：8541.21.00.95
Ток постоянного напряжения - номинальный：60V
Максимальная потеря мощности：625mW
Положение терминала：BOTTOM
Температура пайки (пиковая) (°C)：240
Код соответствия REACH：not_compliant
Моментальный ток：2A
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
Основной номер части：MPS651
Число контактов：3
Код JESD-30：O-PBCY-T3
Квалификационный Статус：Not Qualified
Направленность：PNP
Конфигурация элемента：Single
Применение транзистора：AMPLIFIER
Продуктивность полосы частот：75MHz
Тип транзистора：NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：500mV
Максимальный ток сбора：2A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：75 @ 1A 2V
Ток - отсечка коллектора (макс)：100nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：500mV @ 200mA, 2A
Частота перехода：75MHz
Максимальное напряжение разрушения：60V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：80V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：5V
Состояние RoHS：Non-RoHS Compliant
Без свинца：Contains Lead

Со склада 599

Итого $0.00000