(0)
Изображение служит лишь для справки
MMJT9410T1
-
ON Semiconductor
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
- TO-261-4, TO-261AA
- TRANS NPN 30V 3A SOT223
Date Sheet
Lagernummer 769
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла：LAST SHIPMENTS (Last Updated: 3 days ago)
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-261-4, TO-261AA
- Количество контактов：4
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Диэлектрический пробой напряжение：30V
- Количество элементов：1
- Минимальная частота работы в герцах：85
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Опубликовано：2006
- Код JESD-609：e0
- Безоловая кодировка：no
- Состояние изделия：Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：3 (168 Hours)
- Количество выводов：3
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Tin/Lead (Sn/Pb)
- Ток постоянного напряжения - номинальный：30V
- Максимальная потеря мощности：3W
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：not_compliant
- Моментальный ток：3A
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
- Основной номер части：MMJT9410
- Число контактов：4
- Код JESD-30：R-PDSO-G3
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация элемента：Single
- Сокетная связка：COLLECTOR
- Продуктивность полосы частот：72MHz
- Полярность/Тип канала：NPN
- Тип транзистора：NPN
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：450mV
- Максимальный ток сбора：3A
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：85 @ 800mA 1V
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：450mV @ 300mA, 3A
- Частота перехода：72MHz
- Максимальное напряжение разрушения：30V
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：45V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO)：6V
- Состояние RoHS：Non-RoHS Compliant
- Без свинца：Contains Lead
Со склада 769
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
