BC850CLT1

Name: ON Semiconductor BC850CLT1
Brand: ON Semiconductor
Rating: 4.9 (10 reviews)

ON Semiconductor
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TRANS NPN 45V 0.1A SOT23
Date Sheet

Lagernummer 166

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：OBSOLETE (Last Updated: 4 days ago)
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Поверхностный монтаж：YES
Количество контактов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Диэлектрический пробой напряжение：45V
Количество элементов：1
Минимальная частота работы в герцах：420
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Опубликовано：2007
Код JESD-609：e0
Безоловая кодировка：no
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Tin/Lead (Sn80Pb20)
Ток постоянного напряжения - номинальный：45V
Максимальная потеря мощности：225mW
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：240
Код соответствия REACH：not_compliant
Моментальный ток：100mA
Частота：100MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
Основной номер части：BC850*L
Число контактов：3
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация элемента：Single
Распад мощности：300mW
Продуктивность полосы частот：100MHz
Полярность/Тип канала：NPN
Тип транзистора：NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：45V
Максимальный ток сбора：100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：420 @ 2mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)：15nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：600mV @ 5mA, 100mA
Частота перехода：100MHz
Максимальное напряжение разрушения：45V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：50V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：6V
Состояние RoHS：Non-RoHS Compliant
Без свинца：Contains Lead

Со склада 166

Итого $0.00000