(0)
Изображение служит лишь для справки
2SD1863TV2R
-
ROHM Semiconductor
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
- 3-SIP
- TRANS NPN 80V 1A ATV
Date Sheet
Lagernummer 3000
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Монтаж：Through Hole
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：3-SIP
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Диэлектрический пробой напряжение：80V
- Количество элементов：1
- Минимальная частота работы в герцах：180
- Рабочая температура：150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Box (TB)
- Опубликовано：2004
- Код JESD-609：e1
- Безоловая кодировка：yes
- Состояние изделия：Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：3
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：TIN SILVER COPPER
- Ток постоянного напряжения - номинальный：80V
- Максимальная потеря мощности：1W
- Температура пайки (пиковая) (°C)：260
- Моментальный ток：1A
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：10
- Основной номер части：2SD1863
- Число контактов：3
- Код JESD-30：R-PSIP-T3
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация элемента：Single
- Продуктивность полосы частот：100MHz
- Полярность/Тип канала：NPN
- Тип транзистора：NPN
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：400mV
- Максимальный ток сбора：1A
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：180 @ 500mA 3V
- Ток - отсечка коллектора (макс)：1μA ICBO
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：400mV @ 20mA, 500mA
- Частота перехода：100MHz
- Максимальное напряжение разрушения：80V
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：100V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO)：5V
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
- Без свинца：Lead Free
Со склада 3000
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
