Каталог

Указатель продукции

0

Изображение служит лишь для справки

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Монтаж:Through Hole
  • Вид крепления:Through Hole
  • Корпус / Кейс:3-SIP
  • Материал элемента транзистора:SILICON
  • Диэлектрический пробой напряжение:40V
  • Количество элементов:1
  • Минимальная частота работы в герцах:1000
  • Рабочая температура:150°C TJ
  • Пакетирование:Tape & Box (TB)
  • Опубликовано:2001
  • Состояние изделия:Obsolete
  • Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
  • Количество выводов:3
  • Ток постоянного напряжения - номинальный:-40V
  • Максимальная потеря мощности:1W
  • Код соответствия REACH:unknown
  • Моментальный ток:-2A
  • Код JESD-30:R-PSIP-T3
  • Квалификационный Статус:Not Qualified
  • Направленность:PNP
  • Конфигурация элемента:Single
  • Мощность - Макс:1W
  • Тип транзистора:PNP - Darlington
  • Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO):1.5V
  • Максимальный ток сбора:2A
  • Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:1000 @ 500mA 2V
  • Ток - отсечка коллектора (макс):1μA ICBO
  • Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:1.5V @ 1.2mA, 600mA
  • Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО):40V
  • Напряжение эмиттер-база (VEBO):5V
  • Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
  • Без свинца:Lead Free

Со склада 0

Итого $0.00000