Изображение служит лишь для справки
MJ11016
- ON Semiconductor
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
- TO-204AA, TO-3
- TRANS NPN DARL 120V 30A TO3
- Date Sheet
Lagernummer 375
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления:Through Hole
- Корпус / Кейс:TO-204AA, TO-3
- Поверхностный монтаж:NO
- Количество контактов:2
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Диэлектрический пробой напряжение:120V
- Количество элементов:1
- Рабочая температура:-55°C~200°C TJ
- Пакетирование:Tray
- Опубликовано:2008
- Код JESD-609:e0
- Состояние изделия:Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:2
- Код ECCN:EAR99
- Ток постоянного напряжения - номинальный:120V
- Максимальная потеря мощности:200W
- Положение терминала:BOTTOM
- Форма вывода:PIN/PEG
- Температура пайки (пиковая) (°C):240
- Код соответствия REACH:not_compliant
- Моментальный ток:30A
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):30
- Число контактов:2
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Направленность:NPN
- Конфигурация элемента:Single
- Распад мощности:200W
- Сокетная связка:COLLECTOR
- Применение транзистора:AMPLIFIER
- Тип транзистора:NPN - Darlington
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO):4V
- Максимальный ток сбора:30A
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:1000 @ 20A 5V
- Ток - отсечка коллектора (макс):1mA
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:4V @ 300mA, 30A
- Частота перехода:4MHz
- Частота - Переход:4MHz
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО):120V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO):5V
- Прямоходящий ток коллектора:30A
- REACH SVHC:No SVHC
- Состояние RoHS:Non-RoHS Compliant
- Без свинца:Contains Lead
Со склада 375
Итого $0.00000