(0)
Изображение служит лишь для справки
MJB44H11
-
ON Semiconductor
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
- TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- TRANS NPN 80V 10A D2PAK
Date Sheet
Lagernummer 560
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество контактов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Диэлектрический пробой напряжение：80V
- Количество элементов：1
- Минимальная частота работы в герцах：60
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tube
- Опубликовано：2009
- Код JESD-609：e0
- Состояние изделия：Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：2
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Tin/Lead (Sn80Pb20)
- Код ТН ВЭД：8541.29.00.75
- Ток постоянного напряжения - номинальный：80V
- Максимальная потеря мощности：2W
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：240
- Код соответствия REACH：not_compliant
- Моментальный ток：10A
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
- Основной номер части：MJB44H11
- Число контактов：3
- Код JESD-30：R-PSSO-G2
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация элемента：Single
- Сокетная связка：COLLECTOR
- Применение транзистора：SWITCHING
- Продуктивность полосы частот：50MHz
- Полярность/Тип канала：NPN
- Тип транзистора：NPN
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：1V
- Максимальный ток сбора：10A
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：40 @ 4A 1V
- Ток - отсечка коллектора (макс)：10μA
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：1V @ 400mA, 8A
- Частота перехода：50MHz
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：5V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO)：5V
- Состояние RoHS：Non-RoHS Compliant
- Без свинца：Contains Lead
Со склада 560
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
