MMBT5089

Name: ON Semiconductor MMBT5089
Brand: ON Semiconductor
Rating: 4.5 (19 reviews)

ON Semiconductor
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Bipolar (bjt) Single Transistor, NPN, 25 V, 50 Mhz, 350 Mw, 100 ma, 400 Rohs Compliant: Yes
Date Sheet

Lagernummer 1758

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：LAST SHIPMENTS (Last Updated: 20 hours ago)
Срок поставки от производителя：39 Weeks
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов：3
Поставщик упаковки устройства：SOT-23
Вес：30mg
Диэлектрический пробой напряжение：25V
Максимальный коллекторный ток (Ic)：100mA
Количество элементов：1
Минимальная частота работы в герцах：400
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Опубликовано：2001
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Максимальная рабочая температура：150°C
Минимальная температура работы：-55°C
Ток постоянного напряжения - номинальный：25V
Максимальная потеря мощности：350mW
Моментальный ток：100mA
Частота：50MHz
Основной номер части：MMBT5089
Направленность：NPN
Конфигурация элемента：Single
Распад мощности：350mW
Мощность - Макс：350mW
Продуктивность полосы частот：50MHz
Тип транзистора：NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：25V
Максимальный ток сбора：100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：400 @ 100μA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)：50nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：500mV @ 1mA, 10mA
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：25V
Максимальная частота：50MHz
Максимальное напряжение разрушения：25V
Частота - Переход：50MHz
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：30V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：4.5V
Максимальная температура перехода (Тj)：150°C
Высота：1.2mm
Длина：2.9mm
Ширина：1.3mm
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 1758

Итого $0.00000