(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы NTMD3N08LR2
Изображение служит лишь для справки
NTMD3N08LR2
-
Rochester Electronics, LLC
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- N-CHANNEL POWER MOSFET
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Поверхностный монтаж：YES
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：2.3A
- Количество элементов：1
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Код JESD-609：e0
- Безоловая кодировка：no
- Состояние изделия：Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：8
- Конечная обработка контакта：TIN LEAD
- Дополнительная Характеристика：ULTRA-LOW RESISTANCE
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：240
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
- Число контактов：8
- Код JESD-30：R-PDSO-G8
- Квалификационный Статус：COMMERCIAL
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Мощность - Макс：3.1W
- Тип ТРВ：2 N-Channel (Dual)
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：215m Ω @ 2.5A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：3V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：480pF @ 25V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：15nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：80V
- Максимальный сливовой ток (ID)：2.3A
- Сопротивление открытого канала-макс：0.215Ohm
- Максимальный импульсный ток вывода：25A
- Минимальная напряжённость разрушения：80V
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：25 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Характеристика ТРП：Logic Level Gate
- Состояние RoHS：Non-RoHS Compliant
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
