DMN3018SSD-13

Name: Diodes Incorporated DMN3018SSD-13
Brand: Diodes Incorporated
Rating: 4.7 (16 reviews)

Diodes Incorporated
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
MOSFET 30V Dual N-Ch Enh 22mOhm 10V 6.7A
Date Sheet

Lagernummer 90

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：15 Weeks
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Количество контактов：8
Вес：73.992255mg
Материал элемента транзистора：SILICON
Количество элементов：2
Время отключения：20.1 ns
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Опубликовано：2013
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：8
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn)
Дополнительная Характеристика：HIGH RELIABILITY
Максимальная потеря мощности：1.5W
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：40
Нормативная Марка：AEC-Q101
Каналов количество：2
Конфигурация элемента：Single
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Время задержки включения：4.3 ns
Тип ТРВ：2 N-Channel (Dual)
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：22m Ω @ 10A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：2.1V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：697pF @ 15V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：13.2nC @ 10V
Время подъема：4.4ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：30V
Время падения (тип)：4.1 ns
Непрерывный ток стока (ID)：6.7A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
Напряжение пробоя стока к истоку：30V
Максимальный импульсный ток вывода：60A
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Характеристика ТРП：Logic Level Gate
Высота：1.5mm
Длина：4.95mm
Ширина：3.95mm
REACH SVHC：No SVHC
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant

Со склада 90

Итого $0.00000