(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы PMDPB95XNE2X
Изображение служит лишь для справки
PMDPB95XNE2X
-
Nexperia USA Inc.
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 6-UDFN Exposed Pad
- MOSFET 2 N-CH 30V 2.7A 6HUSON
Date Sheet
Lagernummer 972
- 1+： $0.50462
- 10+： $0.47606
- 100+： $0.44911
- 500+： $0.42369
- 1000+： $0.39971
Zwischensummenbetrag $0.50462
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：8 Weeks
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：6-UDFN Exposed Pad
- Поверхностный монтаж：YES
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：2.7A Ta
- Количество элементов：2
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Опубликовано：2016
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：6
- Форма вывода：NO LEAD
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
- Число контактов：6
- Нормативная Марка：IEC-60134
- Код JESD-30：S-PDSO-N6
- Конфигурация：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Мощность - Макс：510mW Ta
- Тип ТРВ：2 N-Channel (Dual)
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：99m Ω @ 2.8A, 4.5V
- Втс(th) (Макс) @ Id：1.25V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：258pF @ 15V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：4.5nC @ 4.5V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：30V
- Максимальный сливовой ток (ID)：2.7A
- Сопротивление открытого канала-макс：0.099Ohm
- Минимальная напряжённость разрушения：30V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Характеристика ТРП：Standard
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 972
- 1+： $0.50462
- 10+： $0.47606
- 100+： $0.44911
- 500+： $0.42369
- 1000+： $0.39971
Итого $0.50462
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
