Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы NTLUD3A260PZTBG

Изображение служит лишь для справки






NTLUD3A260PZTBG
-
ON Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 6-UFDFN Exposed Pad
- IGBT Transistors POWER MOSFET 20V 2A 200 M
Date Sheet
Lagernummer 544
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:8 Weeks
- Состояние жизненного цикла:ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
- Поверхностный монтаж:YES
- Корпус / Кейс:6-UFDFN Exposed Pad
- Вид крепления:Surface Mount
- Количество контактов:6
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Время отключения:149 ns
- Количество элементов:2
- Опубликовано:2010
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Рабочая температура:-55°C~150°C TJ
- Код JESD-609:e3
- Безоловая кодировка:yes
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:6
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Tin (Sn)
- Максимальная потеря мощности:500mW
- Число контактов:6
- Конфигурация элемента:Dual
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Распад мощности:800mW
- Сокетная связка:DRAIN
- Время задержки включения:17.4 ns
- Тип ТРВ:2 P-Channel (Dual)
- Применение транзистора:SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:200m Ω @ 2A, 4.5V
- Втс(th) (Макс) @ Id:1V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:300pF @ 10V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:4.2nC @ 4.5V
- Время подъема:32.3ns
- Напряжение стока-исток (Vdss):20V
- Время падения (тип):74 ns
- Непрерывный ток стока (ID):1.3A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs):8V
- Максимальный сливовой ток (ID):1.7A
- Сопротивление открытого канала-макс:0.2Ohm
- Минимальная напряжённость разрушения:20V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Характеристика ТРП:Logic Level Gate
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
- Корпусировка на излучение:No
- Без свинца:Lead Free
Со склада 544
Итого $0.00000