(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы EFC6605R-TR
Изображение служит лишь для справки
EFC6605R-TR
-
ON Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 6-SMD, No Lead
- MOSFET NCH+NCH 10A 24V 2.5V DRIV
Date Sheet
Lagernummer 590000
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：7 Weeks
- Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
- Корпус / Кейс：6-SMD, No Lead
- Вид крепления：Surface Mount
- Монтаж：Surface Mount
- Количество контактов：6
- Вес：65.99769mg
- Время отключения：44.4 μs
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Рабочая температура：150°C TJ
- Безоловая кодировка：yes
- Состояние изделия：Not For New Designs
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Код ECCN：EAR99
- Максимальная потеря мощности：1.6W
- Каналов количество：2
- Время задержки включения：154 ns
- Тип ТРВ：2 N-Channel (Dual)
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：19.8nC @ 4.5V
- Время подъема：678ns
- Напряжение стока-исток (Vdss)：20V
- Время падения (тип)：60.8 μs
- Непрерывный ток стока (ID)：10A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：10V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Характеристика ТРП：Logic Level Gate, 2.5V Drive
- Сопротивление стока к истоку：13.3mOhm
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
- Без свинца：Lead Free
Со склада 590000
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
