SI5935CDC-T1-GE3

Name: Vishay Siliconix SI5935CDC-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
Rating: 4.8 (16 reviews)

Vishay Siliconix
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
8-SMD, Flat Lead
MOSFET 2P-CH 20V 4A 1206-8
Date Sheet

Lagernummer 7620

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：14 Weeks
Покрытие контактов：Tin
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：8-SMD, Flat Lead
Количество контактов：8
Вес：84.99187mg
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：4A
Количество элементов：2
Время отключения：25 ns
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Серия：TrenchFET®
Опубликовано：2012
Код JESD-609：e4
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：8
Код ECCN：EAR99
Сопротивление：100MOhm
Конечная обработка контакта：Silver (Ag)
Максимальная потеря мощности：3.1W
Форма вывода：C BEND
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
Основной номер части：SI5935
Число контактов：8
Конфигурация элемента：Dual
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：1.3W
Время задержки включения：10 ns
Тип ТРВ：2 P-Channel (Dual)
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：100m Ω @ 3.1A, 4.5V
Втс(th) (Макс) @ Id：1V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：455pF @ 10V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：11nC @ 5V
Время подъема：32ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：20V
Время падения (тип)：6 ns
Непрерывный ток стока (ID)：3.1A
Пороговое напряжение：-1V
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：8V
Максимальный сливовой ток (ID)：4A
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Характеристика ТРП：Standard
Высота：1.1mm
Длина：3.1mm
Ширина：1.7mm
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 7620

Итого $0.00000