US6M1TR

Name: ROHM Semiconductor US6M1TR
Brand: ROHM Semiconductor
Rating: 4.9 (13 reviews)

ROHM Semiconductor
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
6-SMD, Flat Leads
MOSFET N/P-CH 30V/20V TUMT6
Date Sheet

Lagernummer 45000

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：16 Weeks
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：6-SMD, Flat Leads
Количество контактов：6
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：1.4A 1A
Количество элементов：2
Время отключения：25 ns
Рабочая температура：150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Опубликовано：2007
Код JESD-609：e2
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：6
Завершение：SMD/SMT
Код ECCN：EAR99
Сопротивление：280MOhm
Конечная обработка контакта：Tin/Copper (Sn/Cu)
Максимальная потеря мощности：1W
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Моментальный ток：1.4A
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：10
Основной номер части：6M1
Число контактов：6
Конфигурация элемента：Dual
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：1W
Тип ТРВ：N and P-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：240m Ω @ 1.4A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：2.5V @ 1mA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：70pF @ 10V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：2nC @ 5V
Время подъема：8ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：30V 20V
Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
Время падения (тип)：10 ns
Непрерывный ток стока (ID)：1A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：-12V
Напряжение пробоя стока к истоку：-20V
Двухпитание напряжения：30V
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Характеристика ТРП：Logic Level Gate
Номинальное Vgs：2.5 V
Высота：770μm
Длина：2mm
Ширина：1.7mm
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 45000

Итого $0.00000