SI5504BDC-T1-GE3

Name: Vishay Siliconix SI5504BDC-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
Rating: 4.6 (15 reviews)

Vishay Siliconix
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
8-SMD, Flat Lead
MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8
Date Sheet

Lagernummer 35776

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：14 Weeks
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：8-SMD, Flat Lead
Количество контактов：8
Вес：84.99187mg
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：4A 3.7A
Количество элементов：2
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Серия：TrenchFET®
Опубликовано：2015
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：8
Код ECCN：EAR99
Сопротивление：140mOhm
Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn)
Максимальная потеря мощности：3.1W
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：C BEND
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
Основной номер части：SI5504
Число контактов：8
Каналов количество：2
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：1.5W
Мощность - Макс：3.12W 3.1W
Тип ТРВ：N and P-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：65m Ω @ 3.1A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：3V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：220pF @ 15V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：7nC @ 10V
Полярность/Тип канала：N-CHANNEL AND P-CHANNEL
Непрерывный ток стока (ID)：3.7A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
Максимальный сливовой ток (ID)：4A
Напряжение пробоя стока к истоку：30V
Максимальный импульсный ток вывода：10A
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Характеристика ТРП：Logic Level Gate
Номинальное Vgs：1.5 V
REACH SVHC：Unknown
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 35776

Итого $0.00000