(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы SI4564DY-T1-GE3
Изображение служит лишь для справки
SI4564DY-T1-GE3
-
Vishay Siliconix
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- MOSFET N/P-CH 40V 10A 8SOIC
Date Sheet
Lagernummer 7271
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：14 Weeks
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Количество контактов：8
- Вес：506.605978mg
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：10A 9.2A
- Количество элементов：2
- Время отключения：40 ns
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Серия：TrenchFET®
- Опубликовано：2010
- Код JESD-609：e3
- Безоловая кодировка：yes
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：8
- Код ECCN：EAR99
- Сопротивление：21mOhm
- Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn)
- Максимальная потеря мощности：3.2W
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：260
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：40
- Основной номер части：SI4564
- Число контактов：8
- Каналов количество：2
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Распад мощности：2W
- Время задержки включения：42 ns
- Мощность - Макс：3.1W 3.2W
- Тип ТРВ：N and P-Channel
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：17.5m Ω @ 8A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：855pF @ 20V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：31nC @ 10V
- Время подъема：40ns
- Напряжение стока-исток (Vdss)：40V
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL AND P-CHANNEL
- Время падения (тип)：15 ns
- Непрерывный ток стока (ID)：10A
- Пороговое напряжение：800mV
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
- Максимальный сливовой ток (ID)：8A
- Минимальная напряжённость разрушения：40V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная температура перехода (Тj)：150°C
- Характеристика ТРП：Logic Level Gate
- Номинальное Vgs：800 mV
- Высота：1.75mm
- REACH SVHC：Unknown
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
- Без свинца：Lead Free
Со склада 7271
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
