CSD19535KTTT

Name: Texas Instruments CSD19535KTTT
Brand: Texas Instruments
Rating: 4.7 (18 reviews)

Texas Instruments
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
TO-263-4, D2Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
MOSFET N-CH 100V 200A TO263
Date Sheet

Lagernummer 20

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Срок поставки от производителя：12 Weeks
Покрытие контактов：Tin
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-263-4, D2Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
Количество контактов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：200A Ta
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：6V 10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：300W Tc
Время отключения：21 ns
Рабочая температура：-55°C~175°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Серия：NexFET™
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：2 (1 Year)
Количество выводов：2
Дополнительная Характеристика：AVALANCHE RATED
Форма вывода：GULL WING
Код соответствия REACH：not_compliant
Основной номер части：CSD19535
Конфигурация элемента：Single
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Сокетная связка：DRAIN
Время задержки включения：9 ns
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：3.4m Ω @ 100A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：3.4V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：7930pF @ 50V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：98nC @ 10V
Время подъема：18ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：100V
Угол настройки (макс.)：±20V
Время падения (тип)：15 ns
Непрерывный ток стока (ID)：200A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
Сопротивление открытого канала-макс：0.0041Ohm
Максимальный импульсный ток вывода：400A
Минимальная напряжённость разрушения：100V
Рейтинг энергии лавины (Eas)：451 mJ
Высота：4.83mm
Длина：10.18mm
Ширина：8.41mm
Толщина：4.44mm
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Contains Lead

Со склада 20

Итого $0.00000