(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные EPC2022
Изображение служит лишь для справки
EPC2022
-
EPC
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- Die
- GAN TRANS 100V 3MOHM BUMPED DIE
Date Sheet
Lagernummer 10499
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：12 Weeks
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：Die
- Поставщик упаковки устройства：Die
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：60A Ta
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：5V
- Рабочая температура：-40°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Серия：eGaN®
- Опубликовано：2016
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：3.2mOhm @ 25A, 5V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2.5V @ 12mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1500pF @ 50V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：100V
- Угол настройки (макс.)：+6V, -4V
- Непрерывный ток стока (ID)：60A
- Входной ёмкости：1.5nF
- Rds на макс.：3.2 mΩ
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 10499
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
