Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы ZXMN2A04DN8TA
![](https://static.whisyee.com/dimg/diodesincorporated-d58v0m4u8mr13-7151.jpg)
Изображение служит лишь для справки
![](/_nuxt/img/icon1.a69e55e.png)
![](/_nuxt/img/icon2.6564a3d.png)
![](/_nuxt/img/icon3.dfeeaa2.png)
![](/_nuxt/img/icon4.c64d914.png)
![](/_nuxt/img/icon5.db8ede5.png)
![](/_nuxt/img/icon6.f17f115.png)
ZXMN2A04DN8TA
-
Diodes Incorporated
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Trans MOSFET N-CH 20V 7.7A 8-Pin SOIC T/R
Date Sheet
Lagernummer 557
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:17 Weeks
- Монтаж:Surface Mount
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Количество контактов:8
- Вес:73.992255mg
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:5.9A
- Количество элементов:2
- Время отключения:50.5 ns
- Рабочая температура:-55°C~150°C TJ
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Опубликовано:2012
- Код JESD-609:e3
- Безоловая кодировка:yes
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:8
- Код ECCN:EAR99
- Сопротивление:25mOhm
- Конечная обработка контакта:Matte Tin (Sn)
- Дополнительная Характеристика:LOW THRESHOLD
- Ток постоянного напряжения - номинальный:20V
- Максимальная потеря мощности:2.1W
- Форма вывода:GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C):260
- Моментальный ток:6A
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):40
- Число контактов:8
- Каналов количество:2
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Распад мощности:2.1W
- Время задержки включения:7.9 ns
- Мощность - Макс:1.8W
- Тип ТРВ:2 N-Channel (Dual)
- Применение транзистора:SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:25m Ω @ 5.9A, 4.5V
- Втс(th) (Макс) @ Id:700mV @ 250μA (Min)
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:1880pF @ 10V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:22.1nC @ 5V
- Время подъема:14.8ns
- Время падения (тип):30.6 ns
- Непрерывный ток стока (ID):7.7A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs):12V
- Максимальный сливовой ток (ID):5.9A
- Напряжение пробоя стока к истоку:20V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Характеристика ТРП:Logic Level Gate
- Высота:1.5mm
- Длина:5mm
- Ширина:4mm
- REACH SVHC:No SVHC
- Корпусировка на излучение:No
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
- Без свинца:Lead Free
Со склада 557
Итого $0.00000