IRF7509TRPBF

Name: Infineon Technologies IRF7509TRPBF
Brand: Infineon Technologies
Rating: 4.7 (17 reviews)

Infineon Technologies
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width)
MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A MICRO8
Date Sheet

Lagernummer 46

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：12 Weeks
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width)
Количество контактов：8
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：2.7A 2A
Количество элементов：2
Время отключения：19 ns
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Серия：HEXFET®
Опубликовано：1998
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：8
Сопротивление：200mOhm
Дополнительная Характеристика：ULTRA LOW RESISTANCE
Максимальная потеря мощности：1.25W
Форма вывода：GULL WING
Моментальный ток：2.7A
Основной номер части：IRF7509PBF
Каналов количество：2
Конфигурация элемента：Dual
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：1.25W
Тип ТРВ：N and P-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：110m Ω @ 1.7A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：1V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：210pF @ 25V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：12nC @ 10V
Время подъема：12ns
Полярность/Тип канала：N-CHANNEL AND P-CHANNEL
Время падения (тип)：9.3 ns
Непрерывный ток стока (ID)：2.7A
Пороговое напряжение：1V
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
Напряжение пробоя стока к истоку：30V
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Максимальная температура перехода (Тj)：150°C
Характеристика ТРП：Logic Level Gate
Номинальное Vgs：1 V
Высота：1.11mm
Длина：3.048mm
Ширина：3.048mm
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 46

Итого $0.00000