IRF7319TRPBF

Name: Infineon Technologies IRF7319TRPBF
Brand: Infineon Technologies
Rating: 4.9 (10 reviews)

Infineon Technologies
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
Date Sheet

Lagernummer 434

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：12 Weeks
Покрытие контактов：Tin
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Количество контактов：8
Материал элемента транзистора：SILICON
Количество элементов：2
Время отключения：34 ns
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Серия：HEXFET®
Опубликовано：1997
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：8
Код ECCN：EAR99
Сопротивление：29mOhm
Дополнительная Характеристика：AVALANCHE RATED, ULTRA LOW RESISTANCE
Максимальная потеря мощности：2W
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：GULL WING
Моментальный ток：6.5A
Основной номер части：IRF7319PBF
Интервал строк：6.3 mm
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：2W
Тип ТРВ：N and P-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：29m Ω @ 5.8A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：1V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：650pF @ 25V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：33nC @ 10V
Время подъема：13ns
Полярность/Тип канала：N-CHANNEL AND P-CHANNEL
Время падения (тип)：32 ns
Непрерывный ток стока (ID)：6.5A
Пороговое напряжение：1V
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
Напряжение пробоя стока к истоку：30V
Максимальный импульсный ток вывода：30A
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Характеристика ТРП：Standard
Номинальное Vgs：1 V
Высота：1.4986mm
Длина：4.9784mm
Ширина：3.9878mm
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Contains Lead, Lead Free

Со склада 434

Итого $0.00000