SI4214DDY-T1-GE3

Name: Vishay Siliconix SI4214DDY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
Rating: 4.8 (17 reviews)

Vishay Siliconix
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8-SOIC
Date Sheet

Lagernummer 703

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：14 Weeks
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Количество контактов：8
Вес：506.605978mg
Материал элемента транзистора：SILICON
Количество элементов：2
Время отключения：15 ns
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Серия：TrenchFET®
Опубликовано：2016
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：8
Код ECCN：EAR99
Сопротивление：19.5mOhm
Конечная обработка контакта：PURE MATTE TIN
Максимальная потеря мощности：3.1W
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
Число контактов：8
Конфигурация элемента：Dual
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：2W
Время задержки включения：7 ns
Тип ТРВ：2 N-Channel (Dual)
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：19.5m Ω @ 8A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：2.5V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：660pF @ 15V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：22nC @ 10V
Время подъема：45ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：30V
Время падения (тип)：12 ns
Непрерывный ток стока (ID)：8.5A
Пороговое напряжение：2.5V
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
Максимальный сливовой ток (ID)：7.5A
Напряжение пробоя стока к истоку：30V
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Максимальная температура перехода (Тj)：150°C
Характеристика ТРП：Logic Level Gate
Длина：5mm
Высота：1.75mm
Ширина：4mm
REACH SVHC：Unknown
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 703

Итого $0.00000