BSZ060NE2LSATMA1

Name: Infineon Technologies BSZ060NE2LSATMA1
Brand: Infineon Technologies
Rating: 4.6 (11 reviews)

Infineon Technologies
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
8-PowerTDFN
Trans MOSFET N-CH 25V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R
Date Sheet

Lagernummer 190000

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：18 Weeks
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：8-PowerTDFN
Покрытие контактов：Tin
Количество контактов：8
Материал элемента транзистора：SILICON
Количество элементов：1
Время отключения：11 ns
Максимальная мощность рассеяния：2.1W Ta 26W Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V 10V
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：12A Ta 40A Tc
Опубликовано：2013
Серия：OptiMOS™
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：no
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：NO LEAD
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Код соответствия REACH：not_compliant
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
Число контактов：8
Код JESD-30：S-PDSO-N3
Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：2.1W
Сокетная связка：DRAIN
Время задержки включения：2.5 ns
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：6m Ω @ 20A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：2V @ 250μA
Без галогенов：Halogen Free
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：670pF @ 12V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：9.1nC @ 10V
Время подъема：2.2ns
Угол настройки (макс.)：±20V
Время падения (тип)：1.8 ns
Непрерывный ток стока (ID)：12A
Пороговое напряжение：2V
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
Максимальное напряжение питания с двумя источниками：25V
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
REACH SVHC：No SVHC
Без свинца：Contains Lead

Со склада 190000

Итого $0.00000