(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные EPC2036
Изображение служит лишь для справки
EPC2036
-
EPC
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- Die
- GANFET TRANS 100V 1A BUMPED DIE
Date Sheet
Lagernummer 3441
- 1+： $1.42276
- 10+： $1.34223
- 100+： $1.26625
- 500+： $1.19458
- 1000+： $1.12696
Zwischensummenbetrag $1.42276
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：14 Weeks
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：Die
- Поставщик упаковки устройства：Die
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：1.7A Ta
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：5V
- Рабочая температура：-40°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Серия：eGaN®
- Опубликовано：2012
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Максимальная рабочая температура：150°C
- Минимальная температура работы：-40°C
- Каналов количество：1
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：65mOhm @ 1A, 5V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2.5V @ 600μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：90pF @ 50V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：0.91nC @ 5V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：100V
- Угол настройки (макс.)：+6V, -4V
- Непрерывный ток стока (ID)：1.7A
- Напряжение пробоя стока к истоку：100V
- Входной ёмкости：90pF
- Максимальная температура перехода (Тj)：150°C
- Сопротивление стока к истоку：62mOhm
- Rds на макс.：65 mΩ
- Высота：815μm
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 3441
- 1+： $1.42276
- 10+： $1.34223
- 100+： $1.26625
- 500+： $1.19458
- 1000+： $1.12696
Итого $1.42276
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
