Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IRFL9110TRPBF

Изображение служит лишь для справки






IRFL9110TRPBF
-
Vishay Siliconix
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-261-4, TO-261AA
- MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223
Date Sheet
Lagernummer 24634
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:8 Weeks
- Монтаж:Surface Mount
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:TO-261-4, TO-261AA
- Количество контактов:4
- Поставщик упаковки устройства:SOT-223
- Вес:250.212891mg
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:1.1A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):10V
- Количество элементов:1
- Максимальная мощность рассеяния:2W Ta 3.1W Tc
- Время отключения:15 ns
- Рабочая температура:-55°C~150°C TJ
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Опубликовано:2011
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Сопротивление:1.2Ohm
- Максимальная рабочая температура:150°C
- Минимальная температура работы:-55°C
- Каналов количество:1
- Распад мощности:2W
- Время задержки включения:10 ns
- Тип ТРВ:P-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:1.2Ohm @ 660mA, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:4V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:200pF @ 25V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:8.7nC @ 10V
- Время подъема:27ns
- Напряжение стока-исток (Vdss):100V
- Угол настройки (макс.):±20V
- Время падения (тип):17 ns
- Непрерывный ток стока (ID):-1.1A
- Пороговое напряжение:-4V
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs):20V
- Напряжение пробоя стока к истоку:-100V
- Входной ёмкости:200pF
- Максимальная температура перехода (Тj):150°C
- Сопротивление стока к истоку:1.2Ohm
- Rds на макс.:1.2 Ω
- Высота:1.8mm
- Длина:6.7mm
- Ширина:3.7mm
- REACH SVHC:Unknown
- Корпусировка на излучение:No
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
- Без свинца:Lead Free
Со склада 24634
Итого $0.00000