(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные TPW4R008NH,L1Q
Изображение служит лишь для справки
TPW4R008NH,L1Q
-
Toshiba Semiconductor and Storage
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 8-PowerVDFN
- MOSFET N-CH 80V 116A 8DSOP
Date Sheet
Lagernummer 500
- 1+： $2.40555
- 10+： $2.26939
- 100+： $2.14093
- 500+： $2.01975
- 1000+： $1.90542
Zwischensummenbetrag $2.40555
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：16 Weeks
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：8-PowerVDFN
- Количество контактов：8
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：116A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Максимальная мощность рассеяния：800mW Ta 142W Tc
- Время отключения：52 ns
- Рабочая температура：150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Серия：U-MOSVIII-H
- Опубликовано：2015
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Каналов количество：1
- Время задержки включения：25 ns
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：4m Ω @ 50A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 1mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：5300pF @ 40V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：59nC @ 10V
- Время подъема：8.6ns
- Напряжение стока-исток (Vdss)：80V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Время падения (тип)：12 ns
- Непрерывный ток стока (ID)：116A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
- Состояние RoHS：RoHS Compliant
Со склада 500
- 1+： $2.40555
- 10+： $2.26939
- 100+： $2.14093
- 500+： $2.01975
- 1000+： $1.90542
Итого $2.40555
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
