(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные TPH2900ENH,L1Q
Изображение служит лишь для справки
TPH2900ENH,L1Q
-
Toshiba Semiconductor and Storage
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 8-PowerVDFN
- MOSFET N-CH 200V 33A SOP8
Date Sheet
Lagernummer 17503
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：12 Weeks
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：8-PowerVDFN
- Количество контактов：8
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：33A Ta
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Максимальная мощность рассеяния：78W Tc
- Время отключения：36 ns
- Рабочая температура：150°C TJ
- Пакетирование：Cut Tape (CT)
- Серия：U-MOSVIII-H
- Опубликовано：2014
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Время задержки включения：20 ns
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：29m Ω @ 16.5A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 1mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：2200pF @ 100V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：22nC @ 10V
- Время подъема：8ns
- Напряжение стока-исток (Vdss)：200V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Время падения (тип)：12 ns
- Непрерывный ток стока (ID)：33A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
- Состояние RoHS：RoHS Compliant
Со склада 17503
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
