Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные MGSF1N03LT1G
Изображение служит лишь для справки
MGSF1N03LT1G
-
ON Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Trans MOSFET N-CH 30V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
- Factory Lead Time：24 Weeks
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Surface Mount：YES
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：1.6A Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：420mW Ta
- Turn Off Delay Time：16 ns
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Published：1998
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：80MOhm
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Voltage - Rated DC：30V
- Terminal Position：DUAL
- Terminal Form：GULL WING
- Current Rating：750mA
- Pin Count：3
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：730mW
- Turn On Delay Time：2.5 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：100m Ω @ 1.2A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：2.4V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：140pF @ 5V
- Rise Time：1ns
- Vgs (Max)：±20V
- Fall Time (Typ)：1 ns
- Continuous Drain Current (ID)：2.1A
- Threshold Voltage：1.7V
- Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
- Drain to Source Breakdown Voltage：30V
- Nominal Vgs：1.7 V
- Height：1.016mm
- Length：3.0226mm
- Width：1.397mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты