Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные STD25NF20

Изображение служит лишь для справки






STD25NF20
-
STMicroelectronics
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Automotive-grade N-channel 200 V, 0.10 Ohm typ., 18 A StripFET Power MOSFET in DPAK package
Date Sheet
Lagernummer 13390
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Монтаж:Surface Mount
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Количество контактов:3
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:18A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):10V
- Количество элементов:1
- Максимальная мощность рассеяния:110W Tc
- Время отключения:40 ns
- Рабочая температура:-55°C~175°C TJ
- Пакетирование:Cut Tape (CT)
- Серия:Automotive, AEC-Q101, STripFET™
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:2
- Код ECCN:EAR99
- Форма вывода:GULL WING
- Основной номер части:STD25N
- Код JESD-30:R-PSSO-G2
- Каналов количество:1
- Конфигурация элемента:Single
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Распад мощности:110W
- Сокетная связка:DRAIN
- Время задержки включения:15 ns
- Тип ТРВ:N-Channel
- Применение транзистора:SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:125m Ω @ 10A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:4V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:940pF @ 25V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:39nC @ 10V
- Время подъема:30ns
- Угол настройки (макс.):±20V
- Время падения (тип):10 ns
- Непрерывный ток стока (ID):18A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs):20V
- Напряжение пробоя стока к истоку:200V
- Максимальный импульсный ток вывода:72A
- Максимальная температура перехода (Тj):175°C
- Высота:2.63mm
- Длина:6.6mm
- Ширина:6.2mm
- Корпусировка на излучение:No
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
- Без свинца:Lead Free
Со склада 13390
Итого $0.00000