BSS123LT1G

Name: ON Semiconductor BSS123LT1G
Brand: ON Semiconductor
Rating: 4.8 (12 reviews)

ON Semiconductor
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
Date Sheet

Lagernummer 5000

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
Срок поставки от производителя：15 Weeks
Покрытие контактов：Tin
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：170mA Ta
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：225mW Ta
Время отключения：40 ns
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Cut Tape (CT)
Опубликовано：2003
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Сопротивление：6Ohm
Ток постоянного напряжения - номинальный：100V
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Моментальный ток：170mA
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：40
Число контактов：3
Конфигурация элемента：Single
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：225mW
Время задержки включения：20 ns
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：6 Ω @ 100mA, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：2.6V @ 1mA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：20pF @ 25V
Угол настройки (макс.)：±20V
Непрерывный ток стока (ID)：170mA
Пороговое напряжение：800mV
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
Напряжение пробоя стока к истоку：100V
Номинальное Vgs：20 V
Высота：1.01mm
Длина：3.04mm
Ширина：1.4mm
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 5000

Итого $0.00000