Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные BVSS84LT1G
Изображение служит лишь для справки
BVSS84LT1G
-
ON Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
- Factory Lead Time：4 Weeks
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Surface Mount：YES
- Number of Pins：3
- Weight：1.437803g
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：130mA Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：5V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：225mW Ta
- Turn Off Delay Time：12 ns
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Published：2004
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Terminal Position：DUAL
- Terminal Form：GULL WING
- Peak Reflow Temperature (Cel)：260
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：10
- Pin Count：3
- Number of Channels：1
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：225mW
- Turn On Delay Time：3.6 ns
- FET Type：P-Channel
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：10 Ω @ 100mA, 5V
- Vgs(th) (Max) @ Id：2V @ 250μA
- Halogen Free：Halogen Free
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：36pF @ 5V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：2.2nC @ 10V
- Rise Time：9.7ns
- Drain to Source Voltage (Vdss)：50V
- Vgs (Max)：±20V
- Fall Time (Typ)：1.7 ns
- Continuous Drain Current (ID)：130mA
- Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
- Drain to Source Breakdown Voltage：-50V
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты