SI7818DN-T1-E3

Name: Vishay Siliconix SI7818DN-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
Rating: 4.8 (18 reviews)

Vishay Siliconix
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
PowerPAK® 1212-8
MOSFET 150V 3.4A 3.8W 135mohm @ 10V
Date Sheet

Lagernummer 986

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：14 Weeks
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：PowerPAK® 1212-8
Количество контактов：8
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：2.2A Ta
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：6V 10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：1.5W Ta
Время отключения：25 ns
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Серия：TrenchFET®
Опубликовано：2007
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：5
Код ECCN：EAR99
Сопротивление：135mOhm
Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn)
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：C BEND
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：40
Число контактов：8
Код JESD-30：R-XDSO-C5
Каналов количество：1
Конфигурация элемента：Single
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：1.5W
Сокетная связка：DRAIN
Время задержки включения：10 ns
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：135m Ω @ 3.4A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 250μA
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：30nC @ 10V
Время подъема：10ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：150V
Угол настройки (макс.)：±20V
Время падения (тип)：10 ns
Непрерывный ток стока (ID)：3.4A
Пороговое напряжение：4V
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
Максимальный сливовой ток (ID)：2.2A
Рейтинг энергии лавины (Eas)：4 mJ
Высота：1.04mm
Длина：3.05mm
Ширина：3.05mm
REACH SVHC：Unknown
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 986

Итого $0.00000