SI2356DS-T1-GE3

Name: Vishay Siliconix SI2356DS-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
Rating: 5 (9 reviews)

Vishay Siliconix
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
MOSFET 40V .051ohm@10V 4.3A N-Ch T-FET
Date Sheet

Lagernummer 16022

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：14 Weeks
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов：3
Вес：1.437803g
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：4.3A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：2.5V 10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：960mW Ta 1.7W Tc
Время отключения：13 ns
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Серия：TrenchFET®
Опубликовано：2015
Код JESD-609：e3
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn)
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
Каналов количество：1
Конфигурация элемента：Single
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：960mW
Время задержки включения：6 ns
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：51m Ω @ 3.2A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：1.5V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：370pF @ 20V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：13nC @ 10V
Время подъема：52ns
Угол настройки (макс.)：±12V
Время падения (тип)：53 ns
Непрерывный ток стока (ID)：3.2A
Пороговое напряжение：1.5V
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：12V
Напряжение пробоя стока к истоку：40V
Максимальная температура перехода (Тj)：150°C
Высота：1.12mm
REACH SVHC：No SVHC
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 16022

Итого $0.00000