MGSF1N02LT1G

Name: ON Semiconductor MGSF1N02LT1G
Brand: ON Semiconductor
Rating: 4.7 (20 reviews)

ON Semiconductor
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Trans MOSFET N-CH 20V 0.75A 3-Pin SOT-23 T/R
Date Sheet

Lagernummer 3000

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 6 hours ago)
Срок поставки от производителя：11 Weeks
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Поверхностный монтаж：YES
Количество контактов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：750mA Ta
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V 10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：400mW Ta
Время отключения：16 ns
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Опубликовано：2005
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Сопротивление：90MOhm
Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
Ток постоянного напряжения - номинальный：20V
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：GULL WING
Моментальный ток：750mA
Число контактов：3
Конфигурация элемента：Single
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：400mW
Время задержки включения：2.5 ns
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：90m Ω @ 1.2A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：2.4V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：125pF @ 5V
Время подъема：1ns
Угол настройки (макс.)：±20V
Время падения (тип)：1 ns
Непрерывный ток стока (ID)：750mA
Пороговое напряжение：1.7V
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
Максимальный сливовой ток (ID)：0.75A
Напряжение пробоя стока к истоку：20V
Номинальное Vgs：1.7 V
Высота：1.01mm
Длина：3.04mm
Ширина：1.4mm
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 3000

Итого $0.00000