SI1317DL-T1-GE3

Name: Vishay Siliconix SI1317DL-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
Rating: 5 (18 reviews)

Vishay Siliconix
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
SC-70, SOT-323
VISHAY - SI1317DL-T1-GE3 - MOSFET, P CH, W/D, 20V, 1.4A, SOT323
Date Sheet

Lagernummer 24534

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：14 Weeks
Покрытие контактов：Tin
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：SC-70, SOT-323
Количество контактов：3
Вес：124.596154mg
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：1.4A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：1.8V 4.5V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：500mW Tc
Время отключения：23 ns
Рабочая температура：-50°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Серия：TrenchFET®
Опубликовано：2012
Код JESD-609：e3
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：GULL WING
Число контактов：3
Каналов количество：1
Конфигурация элемента：Single
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：400mW
Время задержки включения：12 ns
Тип ТРВ：P-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：150m Ω @ 1.4A, 4.5V
Втс(th) (Макс) @ Id：800mV @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：272pF @ 10V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：6.5nC @ 4.5V
Время подъема：30ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：20V
Угол настройки (макс.)：±8V
Время падения (тип)：18 ns
Непрерывный ток стока (ID)：-1.4A
Пороговое напряжение：-800mV
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：8V
Напряжение пробоя стока к истоку：-20V
Максимальная температура перехода (Тj)：150°C
Высота：1.1mm
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 24534

Итого $0.00000