SI2302DDS-T1-GE3

Name: Vishay Siliconix SI2302DDS-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
Rating: 4.7 (8 reviews)

Vishay Siliconix
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
VISHAY SI2302DDS-T1-GE3 MOSFET Transistor, N Channel, 2.6 A, 20 V, 0.045 ohm, 4.5 V
Date Sheet

Lagernummer 18682

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：14 Weeks
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов：3
Вес：1.437803g
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：2.9A Tj
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：2.5V 4.5V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：710mW Ta
Время отключения：30 ns
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Серия：TrenchFET®
Опубликовано：2012
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn)
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Каналов количество：1
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：710mW
Время задержки включения：8 ns
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：57m Ω @ 3.6A, 4.5V
Втс(th) (Макс) @ Id：850mV @ 250μA
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：5.5nC @ 4.5V
Время подъема：7ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：20V
Угол настройки (макс.)：±8V
Время падения (тип)：7 ns
Непрерывный ток стока (ID)：2.6A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：8V
Сопротивление открытого канала-макс：0.057Ohm
Минимальная напряжённость разрушения：20V
REACH SVHC：No SVHC
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 18682

Итого $0.00000