Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные DMG6402LDM-7
Изображение служит лишь для справки
DMG6402LDM-7
-
Diodes Incorporated
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- SOT-23-6
- MOSFET MOSFET N-CHANNEL SOT-26
Date Sheet
Lagernummer 2710
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Factory Lead Time：15 Weeks
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：SOT-23-6
- Number of Pins：6
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：5.3A Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：1.12W Ta
- Turn Off Delay Time：13.92 ns
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Published：2012
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：6
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Matte Tin (Sn)
- Additional Feature：HIGH RELIABILITY
- Terminal Position：DUAL
- Terminal Form：GULL WING
- Peak Reflow Temperature (Cel)：260
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：40
- Pin Count：6
- Number of Channels：1
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：1.12W
- Turn On Delay Time：3.41 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：27m Ω @ 7A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：2V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：404pF @ 15V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：9.2nC @ 10V
- Rise Time：6.18ns
- Drain to Source Voltage (Vdss)：30V
- Vgs (Max)：±20V
- Fall Time (Typ)：2.84 ns
- Continuous Drain Current (ID)：5.3A
- Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
- Drain-source On Resistance-Max：0.027Ohm
- DS Breakdown Voltage-Min：30V
- Height：1.3mm
- Length：3.1mm
- Width：1.7mm
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
Со склада 2710
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты