(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные DMN3016LFDE-7
Изображение служит лишь для справки
DMN3016LFDE-7
-
Diodes Incorporated
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 6-UDFN Exposed Pad
- MOSFET N-CH 30V U-DFN2020-6
Date Sheet
Lagernummer 3000
- 1+： $0.23460
- 10+： $0.22132
- 100+： $0.20879
- 500+： $0.19697
- 1000+： $0.18582
Zwischensummenbetrag $0.23460
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：22 Weeks
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：6-UDFN Exposed Pad
- Количество контактов：6
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：10A Ta
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V 10V
- Максимальная мощность рассеяния：730mW Ta
- Время отключения：26.1 ns
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Опубликовано：2013
- Код JESD-609：e4
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
- Конфигурация элемента：Single
- Время задержки включения：4.8 ns
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：12m Ω @ 11A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1415pF @ 15V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：25.1nC @ 10V
- Время подъема：16.5ns
- Напряжение стока-исток (Vdss)：30V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Время падения (тип)：5.6 ns
- Непрерывный ток стока (ID)：10A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
- Высота：580μm
- Длина：2.05mm
- Ширина：2.05mm
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
- Без свинца：Lead Free
Со склада 3000
- 1+： $0.23460
- 10+： $0.22132
- 100+： $0.20879
- 500+： $0.19697
- 1000+： $0.18582
Итого $0.23460
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
