(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные SSM6J511NU,LF
Изображение служит лишь для справки
SSM6J511NU,LF
-
Toshiba Semiconductor and Storage
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 6-WDFN Exposed Pad
- MOSFET P-CH 12V 14A UDFN6B
Date Sheet
Lagernummer 66000
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：12 Weeks
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：6-WDFN Exposed Pad
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：14A Ta
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Серия：U-MOSVII
- Опубликовано：2016
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Максимальная потеря мощности：1.25W
- Код соответствия REACH：unknown
- Тип ТРВ：P-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：9.1m Ω @ 4A, 8V
- Втс(th) (Макс) @ Id：1V @ 1mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：3350pF @ 6V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：47nC @ 4.5V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：12V
- Непрерывный ток стока (ID)：14A
- Состояние RoHS：RoHS Compliant
Со склада 66000
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
