MGB19N35CLT4

Name: ON Semiconductor MGB19N35CLT4
Brand: ON Semiconductor
Rating: 5 (9 reviews)

ON Semiconductor
Неклассифицированные
-
Insulated Gate Bipolar Transistor, 19A I(C), 380V V(BR)CES, N-Channel
Date Sheet

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Поверхностный монтаж：YES
Количество терминалов：2
Материал элемента транзистора：SILICON
РХОС：Non-Compliant
Описание пакета：CASE 418B-03, D2PAK-3
Форма упаковки：SMALL OUTLINE
Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
Время включения (тон)：6500 ns
Код упаковки производителя：CASE 418B-03
Время отключения (toff)：25000 ns
Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
Температура работы-Макс：175 °C
Рохс Код：No
Артикул Производителя：MGB19N35CLT4
Форма упаковки：RECTANGULAR
Производитель：ON Semiconductor
Количество элементов：1
Код цикла жизни компонента：Obsolete
Производитель IHS：ON SEMICONDUCTOR
Время подъема макс：6000 ns
Ранг риска：5.89
Код упаковки компонента：SFM
Код JESD-609：e0
Конечная обработка контакта：Tin/Lead (Sn/Pb)
Подкатегория：Insulated Gate BIP Transistors
Положение терминала：SINGLE
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Код соответствия REACH：not_compliant
Число контактов：4
Код JESD-30：R-PSSO-G2
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
Сокетная связка：COLLECTOR
Применение транзистора：AUTOMOTIVE IGNITION
Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
Максимальная потеря мощности (абс.)：165 W
Максимальный ток коллектора (IC)：19 A
Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：380 V
Напряжение затвор-эмиттер (макс.)：22 V
Максимальное напряжение на переходе ГЭ：2 V
Время падения максимальное (tf)：22000 ns

Со склада 0

Итого $0.00000