Изображение служит лишь для справки
1N26BM
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:NO
- Материал диодного элемента:SILICON
- Количество терминалов:2
- Описание пакета:O-LALF-W2
- Форма упаковки:LONG FORM
- Материал корпуса пакета:GLASS
- Температура работы-Макс:150 °C
- Частота работы (макс.):26 GHz
- Артикул Производителя:1N26BM
- Форма упаковки:ROUND
- Производитель:Advanced Semiconductor Inc
- Количество элементов:1
- Код цикла жизни компонента:Active
- Производитель IHS:ASI SEMICONDUCTOR INC
- Ранг риска:5.19
- Код упаковки компонента:DO-37
- Код ECCN:EAR99
- Дополнительная Характеристика:MATCHED PAIR
- Код ТН ВЭД:8541.10.00.60
- Подкатегория:Microwave Mixer Diodes
- Технология:POINT CONTACT
- Положение терминала:AXIAL
- Форма вывода:WIRE
- Код соответствия REACH:unknown
- Число контактов:2
- Код JESD-30:O-LALF-W2
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Конфигурация:SINGLE
- Тип диода:MIXER DIODE
- Сокетная связка:ISOLATED
- Импеданс-Макс:600 Ω
- Код JEDEC-95:DO-37
- Минимальная частота работы:18 GHz
- Диапазон частот:K BAND
- Максимальная коэффициент помехи:11 dB
- Минимаксная импеданс:400 Ω
Со склада 0
Итого $0.00000