Изображение служит лишь для справки

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Поверхностный монтаж:NO
  • Материал диодного элемента:SILICON
  • Количество терминалов:2
  • Описание пакета:O-LALF-W2
  • Форма упаковки:LONG FORM
  • Материал корпуса пакета:GLASS
  • Температура работы-Макс:150 °C
  • Частота работы (макс.):26 GHz
  • Артикул Производителя:1N26BM
  • Форма упаковки:ROUND
  • Производитель:Advanced Semiconductor Inc
  • Количество элементов:1
  • Код цикла жизни компонента:Active
  • Производитель IHS:ASI SEMICONDUCTOR INC
  • Ранг риска:5.19
  • Код упаковки компонента:DO-37
  • Код ECCN:EAR99
  • Дополнительная Характеристика:MATCHED PAIR
  • Код ТН ВЭД:8541.10.00.60
  • Подкатегория:Microwave Mixer Diodes
  • Технология:POINT CONTACT
  • Положение терминала:AXIAL
  • Форма вывода:WIRE
  • Код соответствия REACH:unknown
  • Число контактов:2
  • Код JESD-30:O-LALF-W2
  • Квалификационный Статус:Not Qualified
  • Конфигурация:SINGLE
  • Тип диода:MIXER DIODE
  • Сокетная связка:ISOLATED
  • Импеданс-Макс:600 Ω
  • Код JEDEC-95:DO-37
  • Минимальная частота работы:18 GHz
  • Диапазон частот:K BAND
  • Максимальная коэффициент помехи:11 dB
  • Минимаксная импеданс:400 Ω

Со склада 0

Итого $0.00000